Företag micron Technology meddelade starten på leveranser av världens första 176-lagers flashminne 3D NAND. Enligt tillverkaren gjorde användningen av avancerad arkitektur det möjligt att göra ett "radikalt genombrott", vilket avsevärt ökade inte bara lagringstätheten utan också prestanda. Det nya minnet kommer att hitta applikationer i lagring för datacenter, smart kringutrustning och mobila enheter.
Nyheten är den femte generationen av 3D NAND och i den andra generationen av RG-arkitekturen (replacement-gate), som är den mest tekniskt avancerade bland de utvecklingar som finns på marknaden. Jämfört med den tidigare generationen av 3D NAND producerad av Micron har läs- och skrivfördröjningar minskat med mer än 35 %. En annan fördel är den kompakta designen – minnesmatrisen med 176 lager är ungefär 30 % mindre än konkurrenternas bästa erbjudanden, vilket gör det nya minnet idealiskt för applikationer där en liten formfaktor är viktig.
Microns femte generationens 3D NAND har också en branschledande dataöverföringshastighet på 1600 33 miljoner överföringar per sekund (MT/s) över bussen Open NAND Flash Interface (ONFI), vilket är 1200 % snabbare än de 96 128 MT/s som uppnås av 3-lagers och XNUMX-lagers XNUMXD NAND Micron-minnen från tidigare generationer.
Micron arbetar med branschrepresentanter för att påskynda införandet av det nya minnet. Microns 176-lagers trenivåers 3D NAND-minne är i serietillverkning i Microns fabrik i Singapore och är nu tillgängligt för kunder, bland annat genom Crucials linje av solid-state-diskar för konsumenter. Företaget kommer att introducera ytterligare nya produkter baserade på denna teknik under kalenderåret 2021.
Läs också:
- Sony tillkännager ett nytt Airpeak drönarprojekt
- Försäljningen av en mobil steadicam - FeiyuTech AK2000С har börjat i Ukraina