Häromdagen, divisionens vice ordförande Samsung från kontraktschiptillverkningen Jeon Gi-tae i en intervju med The Elec-publikationen rapporterad, att i den framtida tekniska processen SF1.4 (klass 1,4 nm) kommer antalet kanaler i transistorer att ökas från tre till fyra, vilket kommer att ge påtagliga fördelar när det gäller prestanda och energiförbrukning. Detta kommer att ske tre år efter lanseringen av Intels liknande transistorer, vilket kommer att tvinga Samsung komma ikapp konkurrenten.
Företag Samsung var först med att producera transistorer med en grind som helt omger kanalerna i transistorerna (SF3E). Detta hände för över ett år sedan och används ganska selektivt. Till exempel används den här typen av 3nm-process för att producera chips för gruvarbetare i kryptovaluta. Kanaler i transistorer i den nya tekniska processen är tunna nanoskivor placerade ovanför varandra. I transistorer Samsung tre sådana kanaler, som är omgivna av en grind på alla fyra sidor och därför flyter strömmen genom dem under exakt kontroll med minimalt läckage.
Intel, tvärtom, kommer att börja producera sina första transistorer med nanosheetkanaler 2024 med hjälp av 2 nm RibbonFET Gate-All-Around (GAA) teknologiprocessen. Från början kommer de att ha fyra nanosheetkanaler i varje. Det betyder att Intels GateGAA-transistorer kommer att vara mer effektiva än liknande transistorer Samsung, kommer att kunna passera en högre ström och kommer att vara mer energieffektiva än transistorerna från den sydkoreanska konkurrenten. Det kommer att pågå cirka tre år fram till Samsung kommer inte att börja producera chip på den tekniska SF1.4-processen, som väntas 2027. Som det nu har blivit känt blir de även "fyrbladiga" - de får fyra kanaler var istället för dagens tre.
Om det blir en annan sak Samsung faktiskt ligger efter Intel när det gäller tillverkningsbarhet? Vid den tiden kommer det sydkoreanska företaget att ha fem års erfarenhet av massproduktion av GAA-transistorer, medan Intel kommer att förbli en nykomling. Och med produktionen av sådana transistorer är allt knappast enkelt, eftersom Samsung använder denna tekniska process väldigt, väldigt selektivt. Hur som helst kommer övergången till en ny arkitektur av transistorer att vara ett betydande genombrott för halvledarindustrin och kommer att göra det möjligt att flytta den barriär bortom vilken traditionell halvledarproduktion inte längre kommer att vara i framkant av framstegen under några år till. .
Läs också:
- Recension Samsung Galaxy Fold5: uppdaterad, flaggskepp, hopfällbar
- Översikt över Intel Core 14:e generationens processorer: vad är de intressanta och vem är de användbara för?