Samsung Elektronik avser att släppa 1 TB DDR5-minne i en enda modul tack vare ett genombrott inom DRAM-tillverkning.
Sydkoreanskt företag tagit fram minnesindustrins första 32-gigabit (GB) DDR5 RAM med högsta kapacitet, med en 12nm-process. Tack vare detta Samsung kommer att kunna producera 5TB DDR1-minnesmoduler, men det finns en annan fördel med att flytta till 32GB DRAM. Jämfört med de befintliga 5GB DDR16 DRAM-modulerna tillverkade med 12nm-processen kommer strömförbrukningen för 128GB-modulerna att minska med 10%.
Enligt Sang-Joon Hwan, vice vd för DRAM-produkter och -teknik på Samsung Elektronik, till en början kommer huvudkonsumenterna av detta minne att vara datacenter, artificiell intelligens och big data: "Tack vare vårt 32 gigabyte DRAM-minne i 12 nm-klassen har vi fått en lösning som gör det möjligt för oss att skapa DRAM-moduler med en volym på upp till 1 TB, vilket gör att vi kan vara idealiskt positionerade för att möta det växande behovet av högkapacitets-RAM i en tidevarv av AI (artificiell intelligens) och big data … Vi kommer att fortsätta att utveckla DRAM-lösningar med hjälp av differentierade tillverkningsprocesser och designa teknologier för att tänja på gränserna för minnesteknik."
Mer minne på mindre utrymme med mindre strömförbrukning kommer alltid att vara populärt bland datacenteroperatörer. Denna minnesteknik bör dock så småningom migrera till DDR5-modulerna som används i våra stationära datorer och bärbara datorer. För närvarande verkar 192 GB minneskit bestående av fyra moduler vara den högsta nivån för konsumenter.
Läs också: